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放大倍数
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晶体管的共射输入特性和输出特性
输入特性
图横坐标u(BE):基极和发射极之间的电压
图纵坐标i(B):基极和发射极之间的电流
u(BE)和i(B)存在一种映射关系。
输出特性
总结
PN结的单向导电性和导电原理
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晶体管的放大原理
放大条件
发射结正偏:U(BE)是基极和发射极之间的电压,要求该电压正向,并且大于开启电压U(ON),此时输入回路导通。加在电路中的电源V(BB)要正向作用于基极和发射极之间,电压值大于开启电压。
集电极反偏:U(CE)是集电极和发射极之间的电压。该电压要大于基极和发射极之间的电压。集电极和发射极之间的电源V(CC)电压大于V(BB),形成集电极反偏。
电路电流放大的实现要基于这两个条件。
电流分配
发射极电流等于基极电流与集电极电流之和
直流电流放大系数
交流电流放大系数
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晶体三极管
晶体管的结构和符号
NPN型三极管
PNP型三极管
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二极管的伏安特性和电流方程
电流方程
反向饱和电流Is和反向击穿电压U(BR)
正向导通电压
二极管的伏安特性
单向导电性
2.二极管伏安特性受温度影响
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二极管的组成
分类
点接触型
面接触型
平面型
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PN结的导电原理
PN结的形成
漂移运动
PN结加正向电压导通;加负向电压截止。
势垒电容
扩散电容
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杂志半导体
N型半导体
参杂的物质越多,带电载流子越多。
P型半导体
空穴数量多。
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半导体
分类
本征半导体
杂志半导体
本征半导体的结构
自由电子和空穴同对出现。
复合
载流子
载流子:自由电子,空穴。
空穴带正电,自由电子带负电。
载流子的数量决定了本征半导体的导电性。
本征半导体的导电规律
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模拟电路的常用仪器
万用表
示波器
-软件
Multisim
模拟电路术语和仪器简介
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模拟电路的常用术语
信号频率
电容
电感
相位
信号失真
电导
跨导
电位(电势)
同相输入和单相输入
电平
容抗
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模拟电子技术的常用术语
共价键
电场
电场力
温度的电压当量
闭合电路中,由于两点之间存在温差而出现的电位差,称为温度的电压当量。
动态信号(随时间变化的信号)
直流电流和交流电流
内阻
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模拟信号与模拟电路
模拟信号:光滑的、连续的信号。
模拟电路:处理模拟信号的电路。
电子信息系统的组成:
信号提取(通过传感器提取),预处理(隔离、滤波、放大),A/D(模拟转数字信号),数字系统,D/A(数字转模拟信号),驱动执行(功放和执行机构)。
模电主要研究信号提取,预处理和驱动执行三部分的内容。
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什么是嵌入式系统?
嵌入式软件与通用计算机软件的区别?
嵌入式开发学习路线
ARM:目前主流的嵌入式处理芯片版本。
嵌入式操作系统:Linux系统的原理,系统移植(操作系统的移植,uBoot操作代码的移植)
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- 嗯嗯
- 认真记录
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学习路径图记录一下
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黑表笔接地,接在com口
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共价键
电场
电场力
温度的电压当量:闭合电路中,由于两点间存在温差而出现的电位差。称为温度的电压当量。
动态信号:随时间变化的信号
直流电、交流电
内阻:内电阻,对电源或仪表说的。电流表内阻尽量小,电压表内阻尽量大。
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本节课重点内容
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1.电容直流断交流短
2.分析方法
先画出交流电路(动态)和直流电路(静态)
再算出静态工作点查看全部 -
1.基本共射电路图(通过三极管将输入放大成输出,且共一个发射点)
2.静态工作点(输入电压为零时各部分值)
3.电流电压波形图(静态驼载在动态之上)(饱和失真和截止失真)
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1.性能指标(信号源 信号源内阻 输入电流 输入电压 输出电流 输出电压 )
2.放大倍数(输出量/输入量)
3.输入电阻和输出电阻
4.通频带(过高过低都不行)(上限减下限)
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晶体管的输入和输出特性
总结
1.晶体管结构及原理( PN结导致的单向导电性)
2.晶体管放大原理及放大系数(基极 发射极 集电极)还有电流方程
3.晶体管输入特性和输出特性
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晶体管的放大条件及电流分配
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晶体管的结构与符号查看全部
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二极管的伏安特性(单向导电性及受温度影响)引入电流方程
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